概况

本季度学术动态共报导了9家高校院所的28条学术动态，覆盖材料科学、微电子学、光学、凝聚态物理、信息工程、能源技术等学科领域，报导了多个重点研究团队，包括浙江大学氧化镓研究团队、中国科学院相关研究所、广西大学蓝色能源团队、厦门大学杨伟锋教授团队、南京邮电大学唐为华教授团队、西安电子科技大学实验室、山东大学钱凯教授与陶绪堂教授团队、郑州大学实验室、复旦大学研究组等，获得了多项重要科研成果。

主要成果包括：在氧化镓单晶生长方面，浙江大学实现了6英寸铸造法氧化镓单晶、3英寸(010)氧化镓单晶衬底、2英寸N型氧化镓单晶等多项突破；山东大学陶绪堂教授团队成功研制出高质量4英寸氧化镓晶体；中国科学院上海微系统所在IEDM2024上发布晶圆级金刚石基氧化镓阵列化单晶薄膜及高性能射频器件的研究进展。此外，在器件应用方面，复旦大学实现了p型氧化镓深紫外日盲探测器和超薄单晶β-氧化镓纳米片的制备；南京邮电大学唐为华教授团队、宁波材料所、郑州大学等在日盲紫外探测器、光存储、能带工程等方面取得进展；中国科学技术大学在氧化镓晶体管结构优化与功率电子器件方面取得新突破；广西大学蓝色能源团队及光电材料与探测技术团队在β氧化镓微米线光学性质、掺铌氧化镓光电性能等方面持续开展深入研究。

总体来看，本季度我国在第四代半导体——氧化镓材料的基础研究与器件应用方面取得了全面进展，涉及从材料生长、器件制备到性能优化等多个关键环节，展现出我国在该领域的强劲科研实力与创新能力。

主要研究成果

• 以上梳理是基于提供的研发动态信息，实际应用场景和目标市场可能需要根据具体研究成果的详细内容和市场需求进一步确定。

• 目标市场的建议是基于研究成果可能的应用领域和潜在的市场需求。

• 对于具体的合作机会和商业化路径，建议研究人员与相关企业或机构进行深入交流和探讨。

报导中的高校院所

研究团队及其研究成果

总结

近年来，氧化镓（Ga₂O₃）作为第四代半导体材料的代表，在宽禁带半导体领域展现出巨大的应用潜力与研究价值。从材料生长到器件制备，再到系统集成与应用探索，我国科研机构和企业在该领域取得了多项突破性进展。在晶体生长方面，多个团队成功实现了2英寸、4英寸乃至6英寸、8英寸氧化镓单晶的生长，标志着我国在大尺寸高质量氧化镓晶体技术上迈入国际领先行列；同时，晶圆级（010）氧化镓单晶衬底及金刚石基阵列化薄膜的成功制备，为高性能射频器件和功率电子器件的发展奠定了坚实基础。在器件与应用层面，氧化镓在日盲紫外探测器、深紫外成像、忆阻器类脑芯片、光存储、神经芯片等多个方向均取得重要成果，展现了其在军事通信、环境监测、人工智能等领域的广阔前景。此外，关于氧化镓材料的热导率、外延生长、能带工程、光电特性调控等方面的基础研究也不断深入，为其性能优化提供了理论支撑。总体来看，氧化镓正逐步从实验室走向产业化，成为推动新一代信息技术发展的重要力量。未来，随着材料质量的进一步提升与器件工艺的成熟，氧化镓有望在高端半导体市场中占据一席之地，助力我国实现半导体产业的跨越式发展。

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