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ACS Nano:应变诱导的扭转双层MoS2生长
2021-03-16 930

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  成果介绍

  量身定制二维(2D)晶体之间的晶界(GBs)和扭转角是确定性地实现设想的用(例如莫尔激子,新兴的磁性或单光子发射)的两个关键合成挑战。

  有鉴于此,近日,美国橡树岭国家实验室David B。 Geohegan和Alexander A。 Puretzky(共同通讯作者)等揭示了如何在化学气相沉积过程中从两个生长的单层MoS2晶体的碰撞和聚结中合成扭转2D双层。研究发现,扭转双层(TB)莫尔角可以保留碰撞晶体的取向差角(θ)。TB区域的形状通过扭结传播模型进行了合理化,可以预测聚结晶体形成的GB。光谱测量揭示了TBs出现时具有缝合晶界和锐利阈值(θ> 20°)的晶体中θ依赖的长程应变,这可以缓解应变。反应性分子动力学模拟解释了这种应变是由于在聚结期间由于沿GB的不饱和缺陷处插入了原子而导致的晶体连续生长造成的,在缺陷变为饱和状态时会自行终止。该模拟还重现了沿GB晶面的原子分辨电子显微镜观察结果,表明这是由生长诱导的长程应变引起的。这些晶面与碰撞晶体的晶轴对齐,从而为TB的第二层生长提供了有利的成核位点,其扭转角保持了取向差角θ。应变产生和成核对齐之间的相互作用为生长具有确定角度的TBs提供了一条新途径。

  图文导读

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  图1。  当2D晶体合并时,了解缝合的晶界和扭转双层的形状和方向。

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  图2。 两个碰撞的MoS2晶体晶界处的压缩应变。

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  图3。 缝合和重叠GBs处的应变发展。

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  图4。 不同取向角下扭转双层形成的统计。

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  图5。 隐藏晶界的结构和对齐方式以及顶部边缘定义了扭转双层。

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  图6。 OGB形成的MD模拟。

  文献信息

  Strain-Induced Growth of Twisted Bilayers during the Coalescence of Monolayer MoS2 Crystals

  (ACS Nano, 2021, DOI:10。1021/acsnano。0c08516)

  文献链接:https://pubs。acs。org/doi/10。1021/acsnano。0c08516

关键词:低维材料技术,2D材料技术
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