目前，世界集成电路技术已经进入纳米时代，国际高端集成电路主流技术的线宽是0.13－0.25微米，国际高端集成电路领先技术的线宽是0.065－0.13微米。我国已经能够自行设计0.18微米、1000万门级的集成电路，有的企业甚至已经达到设计0.13微米的技术水平。未来5－10年面向系统级芯片（SOC）的设计方法将成为技术热点，设计线宽将达到0.045微米，芯片集成度将达到10的8－9次方，电子设计自动化（EDA）技术广泛应用，IP复用技术将得到极大完善，中科集成电路寻求技改项目。