专利详情
GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法
CN105140352B
发明专利
无机非金属材料
专利简介
本发明公开了一种基于选择性区域外延生长技术的GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法。本发明器件制作过程包括:(A)在衬底上制备条形排列的掩蔽膜并通过选取性区域外延技术生长条型结构n型GaN阵列,(B)在条型结构n型GaN阵列上制备带周期性排布开孔的掩蔽膜并通过选取性区域外延技术生长三维结构微型LED阵列,(C)在三维结构微型LED阵列表面制备条形透明导电层,(D)分别在条型结构n型GaN阵列和条形透明导电层上制备负电极和正电极。本发明采用了选择性区域外延生长技术生长GaN基微型LED,克服了干法刻蚀制备微型LED引起的漏电流问题,提供一种矩阵寻址、低功耗、高亮度的微显示器件。
相关专利标签
显示器件 外延生长 GaN 衬底 LED
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