专利详情
一种采用内热法制备碳化硅的方法
CN108529630A
发明专利
基础化学
专利简介
本发明涉及一种采用内热法制备碳化硅的方法,包括如下步骤:步骤一、对晶体硅切割废料进行预处理。步骤二、将碳源、粘结剂、水和预处理后的晶体硅切割废料进行混合得到混合物料,然后压制成型得到球团,再对球团进行干燥。步骤三、将干燥后的球团置于反应炉。步骤四、将反应炉通电,然后使炉体内保持一定温度并保温得到碳化硅结晶块。步骤五、对碳化硅结晶块进行破碎和处理,得到α‑碳化硅粉。本发明中采用内热法制备碳化硅的方法,首次将晶体硅切割废料与艾奇逊炉工艺相结合,能够***降低反应温度、降低能耗,同时以晶体硅切割废料为原料、***降低了生产成本,最终得到单一晶型的α‑SiC。
相关专利标签
晶体硅 热法 制备 碳化硅 进行预处理
相关专利
  • 一种制备表面改性堇青石的方法
    发明专利
    201510413337X
  • 表面改性堇青石在实现碳烟转化中的应用
    发明专利
    2015104118670
  • 耐生物老化性能强的玻璃碳、人工气管的制备方法
    发明专利
    201610310549X
  • 多层薄膜的锂离子电池自支撑硅基负极材料及其制备方法
    发明专利
    2015100720806
  • 一种Bi4Ti3O12纳米片的制备方法及产品
    发明专利
    2014104240216