专利详情
一种硅基电荷俘获型存储器件及制备方法
CN110047916B
发明专利
无机非金属材料
专利简介
硅基电荷俘获型存储器件,在结构为p‑Si/隧穿层介质/电荷俘获介质/阻挡层介质/栅电极的存储器件中,存储器件由下至上包括衬底、隧穿层、电荷俘获介质层、阻挡层以及栅电极;隧穿层厚度为1~5nm的绝缘层,电荷俘获介质的导带底与p‑Si的导带底具有匹配的能带结构;电荷俘获介质是两种单元氧化物的混合物,且与硅相比两种介质均具有较高的介电系数,介电系数为6~100。制备出的电荷俘获介质的导带底与p‑Si的导带底具有匹配的能带结构,二者势能差值的范围为‑1.5eV~1.5eV,有利于使电子保持在电荷俘获介质内,提高硅基电荷俘获型存储器件的存储性能。
相关专利标签
存储器件 Si 硅基 电荷俘获 隧穿层
相关专利
  • 一种电荷俘获型存储元件及其制备工艺
    发明专利
    CN106560928B
  • PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器
    发明专利
    CN103165726B
  • 基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法
    发明专利
    CN105006488B
  • 一种电荷俘获存储器及其制备方法
    发明专利
    CN104952877B
  • 基于带隙调控的新型电荷陷阱型存储器、其制备方法及应用
    发明专利
    CN103545316B