铜钯合金单晶键合引线制造工艺为：提取高纯铜和高纯钯、制备单晶铜钯合金棒、合金棒粗拔、单晶铜钯合金丝退火热处理、单晶铜钯合金丝表面镀钯、表面镀钯单晶铜钯合金丝进行粗拔、在线连续热处理、精密拉拔成铜钯合金单晶键合丝，再将铜钯合金单晶键合丝退火热处理、表面清洗、分卷。该制备工艺为公司自主研发，它摒弃了传统的先拉拔、后电镀工艺，将不必要的工序舍弃，直接连续进行紧凑加工工艺。

　　(1)配方设计：根据相关文献介绍，我们设计了几套不同成分配比铜钯合金单晶棒的配方，经性能测试对比和现场操作实践，选择其中较为满意的一套配方。该配方内部各元素比例为：钯占1.35-10.18%、Ca占0.0001-0.0003%、Re占0.0002%-0.0008%，其余为高纯铜，之和等于100%。

　　(2)铜钯合金棒制作

　　a.提取高纯铜：将硝酸铜溶液按1：4比例加高纯水进行稀释，配制成电解液；以国家标准1号纯铜作为阳极浸入电解液，并确保有95%体积比的纯铜浸入电解液中；以高纯铜箔作为阴极浸入电解液中，同样确保有95%体积比的高纯铜箔浸入电解液中；在阳极、阴极之间输入(7-9)V、(2.5-3.5)A的直流电，以补充新鲜电解液方式维持电解液温度不超过60℃；待阴极积聚纯度大于99.9995%的高纯铜，及时更换高纯铜箔，再经清洗、烘干备用。

　　b.铜钯合金棒：在一个有氮气保护的水平连铸金属单晶的连铸室，加入提纯所得的纯度大于99.9995%的高纯铜，同时加入0.03-0.08%纯度大于99.999%的钯和纯度大于99.5%的Ca0.0001-0.0003%和混合型稀土Re0.0002-0.0008%；应用中频感应加热至(1150-1220)℃，待完全熔化、精炼和除气后，将熔液注入连铸室中间的储液池保温，在维持(2-5)L/min净化氮气流量的连铸室中，完成对铜钯合金熔液水平单晶连铸，得到ф3mm、纵向和横向晶粒数均匀为1个的高纯铜钯合金棒；单晶铜钯合金棒可有效降低铜丝的电阻率、提高导电率，增强其抗氧化性能和机械强度。

　　(3)表面镀钯：应用常规电镀设备，采用不同电镀配方和工艺，对退火后的铜钯合金丝电镀纯钯防氧化保护层，电镀用钯的纯度要求大于99.999%；电流密度(4-4.5)A/，铜丝速度为(4-5)m/min,镀层厚度控制在2μm-7μm； 镀钯后的铜钯合金丝产品，单晶铜钯合金丝内部钯和表层镀纯钯的重量之和占总重量的百分比控制在1.35%-10.18%；其余为铜。

　　(4)单晶铜钯合金棒、合金丝的拉制工艺、退火工艺与普通圆铜线不一样。我公司采用自主开发的纯天然钻石精密模具，小比例逐级低压缩过线，梯级连续拉伸完全在模具中完成；在拉制过程中采用高附着、低摩擦、恒张力、全伺服同步跟踪控制技术，以保证键合丝的圆整度及尺寸均匀一致；退火工艺采用了高纯度无触催软化技术以保证键合丝张力的一致性。