磷掺杂耦合纳米限域镁基储氢材料的制备方法
专利名称 | 磷掺杂耦合纳米限域镁基储氢材料的制备方法 | ||
专利状态 | 专利类型 | 发明专利 | |
公开号 |
CN201510352904.5
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申请号 | |||
专利申请日期 | 2015-06-24 | 专利授权日期 | 2015-10-07 |
发明人 | 吴成章;何大亮;王宇龙;丁伟中 | ||
权利人 | |||
专利摘要 | 本发明公开了一种磷掺杂耦合纳米限域镁基储氢材料的制备方法,应用于新能源材料技术领域。本发明方法制备的储氢材料为氢化镁(MgH2)负载在掺杂磷元素的介孔骨架材料纳米孔道中。使用一步法合成磷元素与介孔骨架材料纳米材料,再将二丁基镁(MgBu2)与磷元素掺杂的介孔骨架材料浸渍,在高压反应釜中利用一定温度和压力将MgBu2置换成负载在磷元素掺杂介孔骨架材料纳米孔道孔内的MgH2,再用戊烷将负载在孔道外的MgH2洗去,经干燥制得。本发明方法合成的纳米限域MgH2在室温下就可以放出大量的氢气,具有很好的吸放氢动力学和放氢热力学。本发明方法操作简单,合成快,分散性好,具有理想的应用前景。 |