项目简介： CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积 Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉 积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积 →Ni/Al 电极沉积，等。

小面积电池指标：效率 12.01%(FF=0.63,Voc=532mV，Jsc=35.8 mA/cm2，面积 0.34cm2)。 

合作方式：技术咨询、企业产业化技术支持。